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文献
J-GLOBAL ID：201802262487448083
整理番号：18A0446685
金属導電ブリッジRAMの揮発性及び非揮発性スイッチングの背後にある基本的機構【Powered by NICT】
Fundamental mechanism behind volatile and non-volatile switching in metallic conducting bridge RAM
Shukla Nikhil
(University of Notre Dame, Notre Dame, IN, USA)
,
Ghosh Ram Krishna
(University of Notre Dame, Notre Dame, IN, USA)
,
Grisafe Benjamin
(University of Notre Dame, Notre Dame, IN, USA)
,
Datta Suman
(University of Notre Dame, Notre Dame, IN, USA)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： IEDM ページ： 4.3.1-4.3.4 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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