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文献
J-GLOBAL ID：201802262563185776
整理番号：18A1330574
ラジカル注入プラズマ増強化学気相成長法における非晶質炭素膜のsp2分率と解離したメチル密度に及ぼすCH4/H2のガス滞留時間の影響
Effects of gas residence time of CH4/H2 on sp2 fraction of amorphous carbon films and dissociated methyl density during radical-injection plasma-enhanced chemical vapor deposition
SUGIURA Hirotsugu
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
JIA Lingyun
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
KONDO Hiroki
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
ISHIKAWA Kenji
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
TSUTSUMI Takayoshi
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
HAYASHI Toshio
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
TAKEDA Keigo
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
SEKINE Makoto
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
HORI Masaru
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57 号： 6S2 ページ： 06JE03.1-06JE03.4 発行年： 2018年06月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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