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文献
J-GLOBAL ID：201802262775914112
整理番号：18A0859909
液体ヘリウム温度でのSiゲートオールアラウンド・ナノワイヤMOSFETにおける1/f雑音挙動に関する議論【JST・京大機械翻訳】
Discussion on the 1/f noise behavior in Si gate-all-around nanowire MOSFETs at liquid helium temperatures
Boudier D.
(Normandie Univ, UNICAEN, ENSICAEN, CNRS, GREYC, 14000 Caen, France)
,
Cretu B.
(Normandie Univ, UNICAEN, ENSICAEN, CNRS, GREYC, 14000 Caen, France)
,
Simoen E.
(Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
,
Veloso A.
(Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
,
Collaert N.
(Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018 号： EUROSOI-ULIS ページ： 1-4 発行年： 2018年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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