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文献
J-GLOBAL ID：201802262796009730
整理番号：18A0641958
高効率III-V/Si MOSキャパシタマッハツェンダ変調器
開達郎
(NTT 先端集積デバイス研)
,
開達郎
(NTT ナノフォトニクスセ)
,
相原卓磨
(NTT 先端集積デバイス研)
,
長谷部浩一
(NTT 先端集積デバイス研)
,
武田浩司
(NTT 先端集積デバイス研)
,
武田浩司
(NTT ナノフォトニクスセ)
,
藤井拓郎
(NTT 先端集積デバイス研)
,
藤井拓郎
(NTT ナノフォトニクスセ)
,
土澤泰
(NTT 先端集積デバイス研)
,
土澤泰
(NTT ナノフォトニクスセ)
,
硴塚孝明
(NTT 先端集積デバイス研)
,
硴塚孝明
(NTT ナノフォトニクスセ)
,
福田浩
(NTT 先端集積デバイス研)
,
福田浩
(NTT ナノフォトニクスセ)
,
松尾慎治
(NTT 先端集積デバイス研)
,
松尾慎治
(NTT ナノフォトニクスセ)
資料名：
電子情報通信学会大会講演論文集(CD-ROM)
(電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集(CD-ROM))
巻： 2018 号： 総合大会 ページ： ROMBUNNO.C-4-17 発行年： 2018年03月06日
JST資料番号： G0508B ISSN： 1349-144X 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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