文献
J-GLOBAL ID:201802263356770784
整理番号:18A0446707
高移動度nチャネルMOSFET(招待論文)のためのInGaAs MOSゲートスタックにおける酸化物欠陥の特性化【Powered by NICT】
Characterization of oxide defects in InGaAs MOS gate stacks for high-mobility n-channel MOSFETs (invited)
著者 (14件):
Franco J.
(imec, Leuven - Belgium)
,
Putcha V.
(also at KU Leuven - Belgium)
,
Vais A.
(imec, Leuven - Belgium)
,
Sioncke S.
(imec, Leuven - Belgium)
,
Waldron N.
(imec, Leuven - Belgium)
,
Zhou D.
(imec, Leuven - Belgium)
,
Rzepa G.
(TU Wien - Austria)
,
Roussel Ph. J.
(imec, Leuven - Belgium)
,
Groeseneken G.
(also at KU Leuven - Belgium)
,
Heyns M.
(also at KU Leuven - Belgium)
,
Collaert N.
(imec, Leuven - Belgium)
,
Linten D.
(imec, Leuven - Belgium)
,
Grasser T.
(TU Wien - Austria)
,
Kaczer B.
(imec, Leuven - Belgium)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
IEDM
ページ:
7.5.1-7.5.4
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)