前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201802263704617745
整理番号：18A0844949
n-Si上の酸素を取り込んだLa/超薄TiSi_xの金属二重層接触スタックによる改良されたOhm性能【JST・京大機械翻訳】
Improved Ohmic Performance by the Metallic Bilayer Contact Stack of Oxygen-Incorporated La/Ultrathin TiSix on n-Si
Wang Lin-Lin
(State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, China)
,
Yu Hao
(Department of Electrical Engineering, KU Leuven, Leuven, Belgium)
,
Schaekers Marc
(imec, Leuven, Belgium)
,
Everaert Jean-Luc
(imec, Leuven, Belgium)
,
Mocuta Dan
(imec, Leuven, Belgium)
,
Horiguchi Naoto
(imec, Leuven, Belgium)
,
Collaert Nadine
(imec, Leuven, Belgium)
,
De Meyer Kristin
(Department of Electrical Engineering, KU Leuven, Leuven, Belgium)
,
Jiang Yu-Long
(State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, China)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65 号： 5 ページ： 1869-1872 発行年： 2018年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。