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文献
J-GLOBAL ID：201802263810003313
整理番号：18A2234685
MBE成長InAs/GaAs量子ドット太陽電池のための‘浅’および‘深’接合構造の比較【JST・京大機械翻訳】
Comparison of `shallow’ and `deep’ junction architectures for MBE-grown InAs/GaAs quantum dot solar cells
Tukiainen Antti
(Optoelectronics Research Centre, Laboratory of Photonicsm, Faculty of Natural Sciences, Tampere University of Technology, Tampere, FI-33720, Finland)
,
Lyytikainen Jari
(Optoelectronics Research Centre, Laboratory of Photonicsm, Faculty of Natural Sciences, Tampere University of Technology, Tampere, FI-33720, Finland)
,
Aho Timo
(Optoelectronics Research Centre, Laboratory of Photonicsm, Faculty of Natural Sciences, Tampere University of Technology, Tampere, FI-33720, Finland)
,
Halonen Eero
(Optoelectronics Research Centre, Laboratory of Photonicsm, Faculty of Natural Sciences, Tampere University of Technology, Tampere, FI-33720, Finland)
,
Raappana Marianna
(Optoelectronics Research Centre, Laboratory of Photonicsm, Faculty of Natural Sciences, Tampere University of Technology, Tampere, FI-33720, Finland)
,
Cappelluti Federica
(Department of Electronics and Telecommunications, Politecnico di Torino, Corso Duca degli Abruzzi 24, Torino, 10129, Italy)
,
Guina Mircea
(Optoelectronics Research Centre, Laboratory of Photonicsm, Faculty of Natural Sciences, Tampere University of Technology, Tampere, FI-33720, Finland)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018 号： WCPEC ページ： 2950-2952 発行年： 2018年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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