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文献
J-GLOBAL ID：201802263848728792
整理番号：18A1211105
長期間短絡ストレス下のSiCパワーMOSFETの劣化機構と最適化に関する研究【JST・京大機械翻訳】
Investigation on degradation mechanism and optimization for SiC power MOSFETs under long-term short-circuit stress
Wei Jiaxing
(National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing, China)
,
Liu Siyang
(National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing, China)
,
Fang Jiong
(National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing, China)
,
Li Sheng
(National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing, China)
,
Li Ting
(National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing, China)
,
Sun Weifeng
(National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing, China)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018 号： ISPSD ページ： 399-402 発行年： 2018年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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