文献
J-GLOBAL ID:201802263880206357
整理番号:18A1520300
構造不均一性の低減によるGaN/AlN共鳴トンネルダイオードを用いた不揮発性メモリ動作の安定化
Stabilization of nonvolatile memory operations using GaN/AlN resonant tunneling diodes by reducing structural inhomogeneity
著者 (3件):
NAGASE Masanori
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
TAKAHASHI Tokio
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
SHIMIZU Mitsuaki
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
57
号:
7
ページ:
070310.1-070310.4
発行年:
2018年07月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)