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文献
J-GLOBAL ID：201802264242097191
整理番号：18A0401398
n-GaN Schottkyダイオード中の深準位過渡分光法測定における少数キャリアトラップの寄与の証拠【Powered by NICT】
Evidence of minority carrier traps contribution in deep level transient spectroscopy measurement in n-GaN Schottky diode
Amor S.
(Universite Sidi Mohammed Ben Abdellah, FST, LERSI, B.P. 2202, Fes, Morocco)
,
Amor S.
(Universite de Lorraine and CentraleSupelec, LMOPS, EA 4423, 2 rue E. Belin, 57070, Metz, France)
,
Ahaitouf A.
(Universite Sidi Mohammed Ben Abdellah, FST, LERSI, B.P. 2202, Fes, Morocco)
,
Ahaitouf Az
(Universite Sidi Mohammed Ben Abdellah, FP Taza, LSI, B.P. 1223, Taza, Morocco)
,
Salvestrini J.P.
(Universite de Lorraine and CentraleSupelec, LMOPS, EA 4423, 2 rue E. Belin, 57070, Metz, France)
,
Salvestrini J.P.
(Georgia Tech Lorraine and CNRS UMI2958, 57070, Metz, France)
,
Ougazzaden A.
(Georgia Tech Lorraine and CNRS UMI2958, 57070, Metz, France)
資料名：
Superlattices and Microstructures
(Superlattices and Microstructures)
巻： 101 ページ： 529-536 発行年： 2017年
JST資料番号： D0600B ISSN： 0749-6036 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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