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文献
J-GLOBAL ID：201802264267351369
整理番号：18A0481431
純粋およびSbドープSnO_2機能性電極の構造的および光電気化学的性質の比較分析【Powered by NICT】
Comparative analysis of structural and photoelectrochemical properties of pure and Sb doped SnO2 functional electrode
Ali H.
(Laboratory of Semiconductor Materials and Metallic Oxides, Faculty of Physics, USTHB, B.P.32, 16111 Algiers, Algeria)
,
Brahimi R.
(Laboratory of Storage and Renewable Energy, Faculty of Chemistry, USTHB, B.P.32, 16111 Algiers, Algeria)
,
Outemzabet R.
(Laboratory of Semiconductor Materials and Metallic Oxides, Faculty of Physics, USTHB, B.P.32, 16111 Algiers, Algeria)
,
Bellal B.
(Laboratory of Storage and Renewable Energy, Faculty of Chemistry, USTHB, B.P.32, 16111 Algiers, Algeria)
,
Trari M.
(Laboratory of Storage and Renewable Energy, Faculty of Chemistry, USTHB, B.P.32, 16111 Algiers, Algeria)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 649 ページ： 225-231 発行年： 2018年
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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