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文献
J-GLOBAL ID：201802264456158729
整理番号：18A0265848
異なるMgドープp-GaNに適した異なるアニーリング温度【Powered by NICT】
Different annealing temperature suitable for different Mg doped P-GaN
Liu S.T.
(State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, PO Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China)
,
Yang J.
(State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, PO Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China)
,
Zhao D.G.
(State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, PO Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China)
,
Zhao D.G.
(School of Electronic, Electrical and Communication Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, People’s Republic of China)
,
Jiang D.S.
(State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, PO Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China)
,
Liang F.
(State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, PO Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China)
,
Chen P.
(State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, PO Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China)
,
Zhu J.J.
(State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, PO Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China)
,
Liu Z.S.
(State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, PO Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China)
,
Li X.
(State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, PO Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China)
,
Liu W.
(State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, PO Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China)
,
Zhang L.Q.
(Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123, People’s Republic of China)
,
Long H.
(State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Changchun 130023, People’s Republic of China)
,
Li M.
(State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Changchun 130023, People’s Republic of China)
資料名：
Superlattices and Microstructures
(Superlattices and Microstructures)
巻： 104 ページ： 63-68 発行年： 2017年
JST資料番号： D0600B ISSN： 0749-6036 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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