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文献
J-GLOBAL ID：201802264475457058
整理番号：18A0822729
改良された電荷移動速度のための大型ピン止めフォトダイオードにおけるドリフト場の実現【JST・京大機械翻訳】
Drift Field Implementation in Large Pinned Photodiodes for Improved Charge Transfer Speed
Hondongwa Donald B.
(Thayer School of Engineering, Dartmouth College, Hanover, NH, USA)
,
Fossum Eric R.
(Thayer School of Engineering, Dartmouth College, Hanover, NH, USA)
資料名：
IEEE Journal of the Electron Devices Society
(IEEE Journal of the Electron Devices Society)
巻： 6 ページ： 413-419 発行年： 2018年
JST資料番号： W2429A ISSN： 2168-6734 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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