文献
J-GLOBAL ID:201802264521069586
整理番号:18A1211014
ゲート接続超接合MOSFETによるドレイン電流容量とオン抵抗限界のブレークスルー【JST・京大機械翻訳】
Breakthrough of drain current capability and on-resistance limits by gate-connected superjunction MOSFET
著者 (1件):
Saito Wataru
(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, Kawasaki, Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2018
号:
ISPSD
ページ:
36-39
発行年:
2018年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)