文献
J-GLOBAL ID:201802264584764699
整理番号:18A1767402
容易な金属支援化学エッチングにより作製した傾斜シリコンナノワイヤのルミネセンス特性に及ぼす不均一メソ多孔性と欠陥の影響【JST・京大機械翻訳】
Effect of inhomogeneous mesoporosity and defects on the luminescent properties of slanted silicon nanowires prepared by facile metal-assisted chemical etching
著者 (4件):
Adhila T. K.
(Nanomaterials Research Laboratory, Surface Engineering Division, CSIR-National Aerospace Laboratories, Post Bag No. 1779, Bangalore 560017, India)
,
Hemam Rachna D.
(Materials Research Center, Indian Institute of Science, Bangalore 560012, India)
,
Nanda K. K.
(Materials Research Center, Indian Institute of Science, Bangalore 560012, India)
,
Barshilia Harish C.
(Nanomaterials Research Laboratory, Surface Engineering Division, CSIR-National Aerospace Laboratories, Post Bag No. 1779, Bangalore 560017, India)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
124
号:
10
ページ:
104303-104303-11
発行年:
2018年
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)