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J-GLOBAL ID：201802264876849769 整理番号：18A0118454

PINダイオードを用いた4.5-/4.9-GHz帯域可変型GaN HEMT高効率電力増幅器

4.5/4.9-GHz-Band Tunable GaN HEMT High Efficiency Power Amplifier with PIN Diode Switches

著者 (3件)：

眞下和樹

(電通大)

石川亮

(電通大)

本城和彦

(電通大)

資料名：

電子情報通信学会技術研究報告 (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))

巻： 117 号： 366(MW2017 142-161) ページ： 1-6 発行年： 2017年12月12日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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