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文献
J-GLOBAL ID：201802265123692842
整理番号：18A0326450
陽極への台形井戸と徐々に薄くした障壁層を用いたInGaN/GaN MQW LEDの性能改善【Powered by NICT】
Improved performance of InGaN/GaN MQW LEDs with trapezoidal wells and gradually thinned barrier layers towards anode
Karan Himanshu
(Institute of Radio Physics and Electronics, University of Calcutta, 92, Acharya Prafulla Chandra Road, Kolkata-700009, India)
,
Biswas Abhijit
(Institute of Radio Physics and Electronics, University of Calcutta, 92, Acharya Prafulla Chandra Road, Kolkata-700009, India)
,
Saha Mainak
(Institute of Engineering and Management, Maulana Abul Kalam Azad University of Technology, Sector-V, Salt Lake Electronic Complex, Kolkata-700091, India)
資料名：
Optics Communications
(Optics Communications)
巻： 400 ページ： 89-95 発行年： 2017年
JST資料番号： A0678B ISSN： 0030-4018 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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