文献
J-GLOBAL ID:201802265201320961
整理番号:18A0798580
熱処理の影響下におけるシリコンの電気物理的性質の変化の特徴【JST・京大機械翻訳】
Features of changes in electrophysical properties of silicon under the influence of thermal treatment
著者 (2件):
Gaidar G.P.
(Institute for Nuclear Research of the NAS of Ukraine, 47, Prospect Nauky, 03680 Kyiv, Ukraine)
,
Baranskii P.I.
(V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of the NAS of Ukraine, 45, Prospect Nauky, 03028 Kyiv, Ukraine)
資料名:
Physica B. Condensed Matter
(Physica B. Condensed Matter)
巻:
538
ページ:
104-108
発行年:
2018年
JST資料番号:
H0676B
ISSN:
0921-4526
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)