文献
J-GLOBAL ID:201802265402727446
整理番号:18A2105527
結晶Si上のTiOx不動態化層の活性化機構
Activation mechanism of TiOx passivating layer on crystalline Si
著者 (8件):
MOCHIZUKI Takeya
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
GOTOH Kazuhiro
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
OHTA Akio
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
OGURA Shohei
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
KUROKAWA Yasuyoshi
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
MIYAZAKI Seiichi
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
FUKUTANI Katsuyuki
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
USAMI Noritaka
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名:
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻:
11
号:
10
ページ:
102301.1-102301.4
発行年:
2018年10月
JST資料番号:
F0599C
ISSN:
1882-0778
CODEN:
APEPC4
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)