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文献
J-GLOBAL ID：201802265954745230
整理番号：18A0718147
PSD構造を用いた裏面照射型CMOSイメージセンサの赤外線感度向上
Near-infrared Sensitivity Enhancement of a Back-illuminated Complementary Metal_Oxide Semiconductor Image Sensor with a Pyramid Surface for Diffraction Structure
押山到
(ソニーセミコンダクタソリューションズ)
,
横川創造
(ソニーセミコンダクタソリューションズ)
,
池田晴美
(ソニーセミコンダクタソリューションズ)
,
蛯子芳樹
(ソニーセミコンダクタソリューションズ)
,
平野智之
(ソニーセミコンダクタソリューションズ)
,
大井上昂志
(ソニーセミコンダクタソリューションズ)
,
斉藤卓
(ソニーセミコンダクタソリューションズ)
,
萩本賢哉
(ソニーセミコンダクタソリューションズ)
,
岩元勇人
(ソニーセミコンダクタソリューションズ)
資料名：
映像情報メディア学会技術報告
巻： 42 号： 10(IST2018 11-25) ページ： 51-54 発行年： 2018年03月02日
JST資料番号： S0209A ISSN： 1342-6893 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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