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文献
J-GLOBAL ID：201802266106383225
整理番号：18A1260690
急峻な界面を持つSiO_2/GaN構造におけるキャリア伝導【JST・京大機械翻訳】
Carrier conduction in SiO2/GaN structure with abrupt interface
Truyen Nguyen Xuan
(Graduate School of Engineering, Nagoya University, Japan)
,
Taoka Noriyuki
(GaN-OIL, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Japan)
,
Ohta Akio
(Graduate School of Engineering, Nagoya University, Japan)
,
Yamada Hisashi
(GaN-OIL, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Japan)
,
Takahashi Tokio
(GaN-OIL, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Japan)
,
Ikeda Mitsuhisa
(Graduate School of Engineering, Nagoya University, Japan)
,
Makihara Katsunori
(Graduate School of Engineering, Nagoya University, Japan)
,
Shimizu Mitsuaki
(GaN-OIL, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Japan)
,
Miyazaki Seiichi
(Graduate School of Engineering, Nagoya University, Japan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018 号： VLSI-TSA ページ： 1-2 発行年： 2018年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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