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文献
J-GLOBAL ID：201802266244454487
整理番号：18A0911013
電子注入層を有するp型ダイヤモンドMOSキャパシタの反転容量の直接観察
Direct observation of inversion capacitance in p-type diamond MOS capacitors with an electron injection layer
MATSUMOTO Tsubasa
(Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
,
MATSUMOTO Tsubasa
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
KATO Hiromitsu
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
MAKINO Toshiharu
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
OGURA Masahiko
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
TAKEUCHI Daisuke
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
YAMASAKI Satoshi
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
IMURA Masataka
(National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN)
,
UEDA Akihiro
(Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
,
INOKUMA Takao
(Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
,
TOKUDA Norio
(Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
,
TOKUDA Norio
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57 号： 4S ページ： 04FR01.1-04FR01.4 発行年： 2018年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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