文献
J-GLOBAL ID:201802266595634977
整理番号:18A0856144
超低電力のためのロバストなTFET SRAMセル【JST・京大機械翻訳】
Robust TFET SRAM cell for ultra-low power IoT applications
著者 (3件):
Ahmad Sayeed
(Department of Electronics Engineering, ZHCET, Aligarh Muslim University, Aligarh 202002, India)
,
Alam Naushad
(Department of Electronics Engineering, ZHCET, Aligarh Muslim University, Aligarh 202002, India)
,
Hasan Mohd.
(Department of Electronics Engineering, ZHCET, Aligarh Muslim University, Aligarh 202002, India)
資料名:
AEUe
(AEUe)
巻:
89
ページ:
70-76
発行年:
2018年
JST資料番号:
A0447A
ISSN:
1434-8411
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)