文献
J-GLOBAL ID:201802266637900401
整理番号:18A0588501
0.9V/1,2 4mAプログラム電圧/電流と0.744μm~2セルを用いた22nm FD-SOIにおける32kb革新的ヒューズ(Iヒューズ)アレイ【Powered by NICT】
32Kb Innovative fuse (I-Fuse) array in 22nm FD-SOI with 0.9V/1.4mA program voltage/current and 0.744um2 cell
著者 (5件):
Chung Shine
(Attopsemi Technology Co., LTD, Hsinchu, Taiwan, 300-78)
,
Fang Wen-Kuan
(Attopsemi Technology Co., LTD, Hsinchu, Taiwan, 300-78)
,
Lin Jay
(Attopsemi Technology Co., LTD, Hsinchu, Taiwan, 300-78)
,
Yu Wen-Hua
(Attopsemi Technology Co., LTD, Hsinchu, Taiwan, 300-78)
,
Hsiao J Y
(Attopsemi Technology Co., LTD, Hsinchu, Taiwan, 300-78)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
S3S
ページ:
1-2
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)