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文献
J-GLOBAL ID：201802267071992731
整理番号：18A0818735
GeドナードープGaN薄膜の構造特性と電気的性質に及ぼすZnアクセプタの共ドーピング効果と反応性スパッタリングにより作製したそのヘテロ接合ダイオード【JST・京大機械翻訳】
Codoping effects of the Zn acceptor on the structural characteristics and electrical properties of the Ge donor-doped GaN thin films and its hetero-junction diodes all made by reactive sputtering
Thao Cao Phuong
(Department of Materials Science and Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Taipei 10607, Taiwan)
,
Kuo Dong-Hau
(Department of Materials Science and Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Taipei 10607, Taiwan)
,
Jan Der-Jun
(Physics Division, Institute of Nuclear Energy Research (INER), Longtan District, Taoyuan City 32546, Taiwan)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 82 ページ： 126-134 発行年： 2018年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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