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文献
J-GLOBAL ID：201802267196724704
整理番号：18A1646037
ナノメートルSiのscallo状フィン配列の形成に及ぼすハードマスクプロファイルの影響【JST・京大機械翻訳】
Influence of the hard masks profiles on formation of nanometer Si scalloped fins arrays
Zhang Qingzhu
(State Key Laboratory of Advanced Materials for Smart Sensing, General Research Institute for Nonferrous Metals, Beijing 100088, China)
,
Zhang Qingzhu
(Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, (IMECAS), Beijing 100029, China)
,
Tu Hailing
(State Key Laboratory of Advanced Materials for Smart Sensing, General Research Institute for Nonferrous Metals, Beijing 100088, China)
,
Yin Huaxiang
(Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, (IMECAS), Beijing 100029, China)
,
Yin Huaxiang
(University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China)
,
Wei Feng
(State Key Laboratory of Advanced Materials for Smart Sensing, General Research Institute for Nonferrous Metals, Beijing 100088, China)
,
Li Junjie
(Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, (IMECAS), Beijing 100029, China)
,
Meng Lingkuan
(Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, (IMECAS), Beijing 100029, China)
,
Zhang Zhaohao
(Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, (IMECAS), Beijing 100029, China)
,
Yan Jiang
(College of Electronic and Information Engineering, North China University of Technology, Beijing 100144, China)
,
Zhao Hongbin
(State Key Laboratory of Advanced Materials for Smart Sensing, General Research Institute for Nonferrous Metals, Beijing 100088, China)
,
Ma Tongda
(National Center of Analysis and Testing for Non-ferrous Metals & Electronic Materials, General Research Institute for Nonferrous Metals, Beijing 100088, China)
,
Zhou Zhangyu
(Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, (IMECAS), Beijing 100029, China)
,
Fan Yanyan
(State Key Laboratory of Advanced Materials for Smart Sensing, General Research Institute for Nonferrous Metals, Beijing 100088, China)
,
Du Jun
(State Key Laboratory of Advanced Materials for Smart Sensing, General Research Institute for Nonferrous Metals, Beijing 100088, China)
資料名：
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻： 198 ページ： 48-54 発行年： 2018年
JST資料番号： C0406B ISSN： 0167-9317 CODEN： MIENEF 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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