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文献
J-GLOBAL ID：201802267789403036
整理番号：18A1253798
太陽光発電または光触媒のための歪調整InSe/MOS_2二層van der Waalsヘテロ構造【JST・京大機械翻訳】
Strain tuned InSe/MoS2 bilayer van der Waals heterostructures for photovoltaics or photocatalysis
Zhang J.
(Key Laboratory of Automobile Materials, Ministry of Education, and School of Materials Science and Engineering, Jilin University, Changchun 130022, China. xylang@jlu.edu.cn jiangq@jlu.edu.cn)
,
Lang X. Y.
,
Zhu Y. F.
,
Jiang Q.
資料名：
Physical Chemistry Chemical Physics
(Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 20 号： 26 ページ： 17574-17582 発行年： 2018年
JST資料番号： A0271C ISSN： 1463-9076 CODEN： PPCPFQ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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