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文献
J-GLOBAL ID：201802267875554755
整理番号：18A0580647
照明強度の変動を用いたコロネン中間層によるAl/n-Si Schottkyダイオードにおけるダイオードパラメータの改善【Powered by NICT】
Improvement of diode parameters in Al/n-Si Schottky diodes with Coronene interlayer using variation of the illumination intensity
Pakma Osman
(Department of Physics, Science and Art Faculty, Batman University, Batman, Turkey)
,
Cavdar Suekrue
(Department of Physics, Faculty of Science, Gazi University, Ankara, Turkey)
,
Koralay Haluk
(Department of Physics, Faculty of Science, Gazi University, Ankara, Turkey)
,
Tugluoglu Nihat
(Department of Energy Systems Engineering, Faculty of Engineering, Giresun University, Giresun, Turkey)
,
Faruk Yueksel OEmer
(Department of Physics, Faculty of Science, Selcuk University, Konya, Turkey)
資料名：
Physica B. Condensed Matter
(Physica B. Condensed Matter)
巻： 527 ページ： 1-6 発行年： 2017年
JST資料番号： H0676B ISSN： 0921-4526 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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