文献
J-GLOBAL ID:201802267935461197
整理番号:18A0386668
2人工知能法を用いたBCD LVサブミクロンn-MOSFETにおける異常しきい値電圧の測定予測【Powered by NICT】
Measurement forecast of anomalous threshold voltages in BCD LV submicron n-MOSFETs with two artificial intelligence methods
著者 (2件):
Chen Shen-Li
(Dept. of Electronic Engineering, National United University, 2 Lien-Da Rd., MiaoLi City 36063, Taiwan)
,
Shu Dun-Ying
(Dept. of Electronic Engineering, National United University, 2 Lien-Da Rd., MiaoLi City 36063, Taiwan)
資料名:
Measurement
(Measurement)
巻:
100
ページ:
93-98
発行年:
2017年
JST資料番号:
W0315B
ISSN:
0263-2241
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)