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文献
J-GLOBAL ID：201802268007853028
整理番号：18A1737760
シリコンドープ酸化スズフレキシブル薄膜トランジスタの調製と特性【JST・京大機械翻訳】
Preparation and Properties of Flexible Thin Film Transistors with Si-incorporated SnO2 Active Layer
Zhang Jiandong
(華南理工大学 材料科学与工程学院,高分子光電材料与器件研究所,発光材料与器件国家重点実験室,广東 广州 510640)
,
Liu Xianzhe
(華南理工大学 材料科学与工程学院,高分子光電材料与器件研究所,発光材料与器件国家重点実験室,广東 广州 510640)
,
Zhang Xiaochen
(華南理工大学 材料科学与工程学院,高分子光電材料与器件研究所,発光材料与器件国家重点実験室,广東 广州 510640)
,
Li Xiaoqing
(華南理工大学 材料科学与工程学院,高分子光電材料与器件研究所,発光材料与器件国家重点実験室,广東 广州 510640)
,
Wang Lei
(華南理工大学 材料科学与工程学院,高分子光電材料与器件研究所,発光材料与器件国家重点実験室,广東 广州 510640)
,
Yao Rihui
(華南理工大学 材料科学与工程学院,高分子光電材料与器件研究所,発光材料与器件国家重点実験室,广東 广州 510640)
,
Ning Honglong
(華南理工大学 材料科学与工程学院,高分子光電材料与器件研究所,発光材料与器件国家重点実験室,广東 广州 510640)
,
Peng Junbiao
(華南理工大学 材料科学与工程学院,高分子光電材料与器件研究所,発光材料与器件国家重点実験室,广東 广州 510640)
資料名：
Faguang Xuebao
(Faguang Xuebao)
巻： 39 号： 7 ページ： 968-973 発行年： 2018年
JST資料番号： W1380A ISSN： 1000-7032 CODEN： FAXUEW 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 中国語 (ZH)
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