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文献
J-GLOBAL ID：201802268118982938
整理番号：18A1002746
逐次熱蒸発法により堆積したCu_2Zn(SnGe)Se_4物理特性に及ぼすGe含有量の影響【JST・京大機械翻訳】
Influence of Ge content on Cu2Zn(SnGe)Se4 physical properties deposited by sequential thermal evaporation technique
Gonzalez-Castillo J.R.
(Centro de Investigacion en Ciencia Aplicada y Tecnologia Avanzada, Unidad Altamira - Instituto Politecnico Nacional, (CICATA, UA - IPN), 89600 Altamira, Tamaulipas, Mexico)
,
Pulgarin-Agudelo F.A.
(CONACYT - Escuela Superior de Fisica y Matematicas - Instituto Politecnico Nacional (ESFM - IPN), 07738 Mexico city, Mexico)
,
Rodriguez-Gonzalez Eugenio
(Centro de Investigacion en Ciencia Aplicada y Tecnologia Avanzada, Unidad Altamira - Instituto Politecnico Nacional, (CICATA, UA - IPN), 89600 Altamira, Tamaulipas, Mexico)
,
Vigil-Galan O.
(Escuela Superior de Fisica y Matematicas - Instituto Politecnico Nacional (ESFM - IPN), 07738 Mexico city, Mexico)
,
Courel-Piedrahita Maykel
(Escuela Superior de Fisica y Matematicas - Instituto Politecnico Nacional (ESFM - IPN), 07738 Mexico city, Mexico)
,
Courel-Piedrahita Maykel
(Instituto de Energias Renovables, Universidad Nacional Autonoma de Mexico, Temixco, Morelos 62580, Mexico)
,
Andrade-Arvizu J.A.
(Catalonia Institute for Energy Research (IREC), Jardins de les Dones de Negre 1, 08930 Sant Adria del Besos-Barcelona, Spain)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 83 ページ： 96-101 発行年： 2018年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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