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J-GLOBAL ID：201802268243621028 整理番号：18A0608006

相転移温度と導入共鳴エネルギードーピングの低減によるGe_1-x-_ySb_xIn_yTeにおける2.3のzTの実現【Powered by NICT】

Realizing zT of 2.3 in Ge_1- _x _- _ySb_xIn_yTe via Reducing the Phase-Transition Temperature and Introducing Resonant Energy Doping

著者 (9件)：

Hong Min

(Materials Engineering, The University of Queensland, Brisbane, Queensland, 4072, Australia)

,

Hong Min

(Centre for Future Materials, The University of Southern Queensland, Springfield, Queensland, 4300, Australia)

,

Chen Zhi-Gang

(Materials Engineering, The University of Queensland, Brisbane, Queensland, 4072, Australia)

,

Chen Zhi-Gang

(Centre for Future Materials, The University of Southern Queensland, Springfield, Queensland, 4300, Australia)

,

Yang Lei

(Materials Engineering, The University of Queensland, Brisbane, Queensland, 4072, Australia)

,

Zou Yi-Chao

(Materials Engineering, The University of Queensland, Brisbane, Queensland, 4072, Australia)

,

Dargusch Matthew S.

(Materials Engineering, The University of Queensland, Brisbane, Queensland, 4072, Australia)

,

Wang Hao

(Centre for Future Materials, The University of Southern Queensland, Springfield, Queensland, 4300, Australia)

,

Zou Jin

(Materials Engineering, The University of Queensland, Brisbane, Queensland, 4072, Australia)

資料名：

Advanced Materials (Advanced Materials)

巻： 30 号： 11 ページ： ROMBUNNO.201705942 発行年： 2018年
JST資料番号： W0001A ISSN： 0935-9648 CODEN： ADVMEW 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

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