文献
J-GLOBAL ID:201802269235413660
整理番号:18A0401428
二重L形埋込み酸化物層を持つSiC LDMOSのための改善ブレークダウン電圧と自己加熱効果【Powered by NICT】
Improving breakdown voltage and self-heating effect for SiC LDMOS with double L-shaped buried oxide layers
著者 (2件):
Bao Meng-tian
(College of Information and Communication Engineering, Harbin Engineering University, 150001, Harbin, China)
,
Wang Ying
(The Key Laboratory of RF Circuits and Systems, Ministry of Education, Hangzhou Dianzi University, 310018, Hangzhou, China)
資料名:
Superlattices and Microstructures
(Superlattices and Microstructures)
巻:
102
ページ:
147-154
発行年:
2017年
JST資料番号:
D0600B
ISSN:
0749-6036
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)