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文献
J-GLOBAL ID：201802269615322477
整理番号：18A0137901
超低電力CMOS埋込みMEMSセンサの検出特性に及ぼす多結晶SiGeの影響【Powered by NICT】
The effects of poly-SiGe on sensing properties for ultra-low-power CMOS-embedded MEMS sensors
Kurui Yoshihiko
(Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, 1, Komukai Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki 212-8583, Japan)
,
Tomizawa Hideyuki
(Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, 1, Komukai Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki 212-8583, Japan)
,
Fujimoto Akira
(Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, 1, Komukai Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki 212-8583, Japan)
,
Saito Tomohiro
(Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, 1, Komukai Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki 212-8583, Japan)
,
Kojima Akihiro
(Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, 1, Komukai Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki 212-8583, Japan)
,
Ikehashi Tamio
(Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, 1, Komukai Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki 212-8583, Japan)
,
Sugizaki Yoshiaki
(Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, 1, Komukai Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki 212-8583, Japan)
,
Shibata Hideki
(Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, 1, Komukai Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki 212-8583, Japan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： ICSENS ページ： 1-3 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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