文献
J-GLOBAL ID:201802269815151872
整理番号:18A1446733
急速光熱アニーリングによるシリコンベースゲルマニウム薄膜の機構研究【JST・京大機械翻訳】
Study on the mechanism of preparation of silicon based germanium thin films by rapid thermal
著者 (8件):
Wang Congjie
(華北電力大学 可再生能源学院,北京,102206)
,
Chen Nuofu
(華北電力大学 可再生能源学院,北京,102206)
,
Wei Lishuai
(華北電力大学 可再生能源学院,北京,102206)
,
Tao Quanli
(華北電力大学 可再生能源学院,北京,102206)
,
He Kai
(華北電力大学 可再生能源学院,北京,102206)
,
Zhang Hang
(華北電力大学 可再生能源学院,北京,102206)
,
Bai Yiming
(華北電力大学 可再生能源学院,北京,102206)
,
Chen Jikun
(北京科技大学 材料学院,北京,100083)
資料名:
Gongneng Cailiao
(Gongneng Cailiao)
巻:
49
号:
4
ページ:
4179-4183
発行年:
2018年
JST資料番号:
C2095A
ISSN:
1001-9731
CODEN:
GOCAEA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
中国語 (ZH)