文献
J-GLOBAL ID:201802269959957212
整理番号:18A1358446
タンタル二カルコゲン化物van der Waals TAS_2/Tase_2及びTase_2/Tate_2ヘテロ構造の電子構造に及ぼす電場効果【JST・京大機械翻訳】
Electric field effects on electronic structure of tantalum dichalcogenides van der Waals TaS2/TaSe2 and TaSe2/TaTe2 heterostructures
著者 (3件):
Xue Xiaoping
(Tianjin Key Laboratory of Film Electronic & Communicate Devices, School of Electrical and Electronic Engineering, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, China)
,
Wang Xiaocha
(Tianjin Key Laboratory of Film Electronic & Communicate Devices, School of Electrical and Electronic Engineering, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, China)
,
Mi Wenbo
(Tianjin Key Laboratory of Low Dimensional Materials Physics and Preparation Technology, School of Science, Tianjin University, Tianjin 300354, China)
資料名:
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻:
455
ページ:
963-969
発行年:
2018年
JST資料番号:
B0707B
ISSN:
0169-4332
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)