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文献
J-GLOBAL ID:201802270093533520   整理番号:18A1860091

短絡試験後のV_V強化モードGaN HEMTの故障解析【JST・京大機械翻訳】

Failure analysis of 650 V enhancement mode GaN HEMT after short circuit tests
著者 (5件):
Abbate C.
(DIEI, University of Cassino and Southern Lazio, Via di Biasio, 43, 03043, Cassino, Italy)
Busatto G.
(DIEI, University of Cassino and Southern Lazio, Via di Biasio, 43, 03043, Cassino, Italy)
Sanseverino A.
(DIEI, University of Cassino and Southern Lazio, Via di Biasio, 43, 03043, Cassino, Italy)
Tedesco D.
(DIEI, University of Cassino and Southern Lazio, Via di Biasio, 43, 03043, Cassino, Italy)
Velardi F.
(DIEI, University of Cassino and Southern Lazio, Via di Biasio, 43, 03043, Cassino, Italy)

資料名:
Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)

巻: 88-90  ページ: 677-683  発行年: 2018年 
JST資料番号: C0530A  ISSN: 0026-2714  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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