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文献
J-GLOBAL ID：201802270809881682
整理番号：18A1620766
Si-InAsナノワイヤトンネルFETにおけるランダムドーパント誘起可変性:量子輸送シミュレーション研究【JST・京大機械翻訳】
Random Dopant-Induced Variability in Si-InAs Nanowire Tunnel FETs: A Quantum Transport Simulation Study
Carrillo-Nunez Hamilton
(School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow, U.K.)
,
Lee Jaehyun
(School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow, U.K.)
,
Berrada Salim
(School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow, U.K.)
,
Medina-Bailon Cristina
(School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow, U.K.)
,
Adamu-Lema Fikru
(School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow, U.K.)
,
Luisier Mathieu
(Integrated Systems Laboratory, ETH Zuerich, Zuerich, Switzerland)
,
Asenov Asen
(School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow, U.K.)
,
Georgiev Vihar P.
(School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow, U.K.)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 39 号： 9 ページ： 1473-1476 発行年： 2018年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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