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文献
J-GLOBAL ID：201802270835523564
整理番号：18A1941184
シリコン中の衝突イオン化により発生した単一正孔の検出【JST・京大機械翻訳】
Detection of single holes generated by impact ionization in silicon
Firdaus Himma
(Graduate School of Science and Technology, Shizuoka University, Hamamatsu 432-8011, Japan)
,
Watanabe Tokinobu
(Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu 432-8011, Japan)
,
Hori Masahiro
(Graduate School of Science and Technology, Shizuoka University, Hamamatsu 432-8011, Japan)
,
Moraru Daniel
(Graduate School of Science and Technology, Shizuoka University, Hamamatsu 432-8011, Japan)
,
Takahashi Yasuo
(Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University, Sapporo 060-0814, Japan)
,
Fujiwara Akira
(NTT Basic Research Laboratories, 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi 243-0198, Japan)
,
Ono Yukinori
(Graduate School of Science and Technology, Shizuoka University, Hamamatsu 432-8011, Japan)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 113 号： 16 ページ： 163103-163103-5 発行年： 2018年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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