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J-GLOBAL ID:201802270913177175   整理番号:18A1506486

(Ga,Mn)Asエピタキシャル層における面内90°磁化スイッチングのイメージング【JST・京大機械翻訳】

Imaging in-plane 90° magnetization switching in a (Ga,Mn)As epitaxial layer
著者 (4件):
Al-Qadi B.
(Department of Electrical Engineering, College of Engineering and Technology, Palestine Technical University - Kadoorie, P.O. Box: 7, Yafa Street, Tulkarm, Palestine)
Sakatoku Y.
(Laboratory for Future Interdisciplinary Research Science and Technology, Tokyo Institute of Technology, 4259-J3-15 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, Japan)
Nishizawa N.
(Laboratory for Future Interdisciplinary Research Science and Technology, Tokyo Institute of Technology, 4259-J3-15 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, Japan)
Munekata H.
(Laboratory for Future Interdisciplinary Research Science and Technology, Tokyo Institute of Technology, 4259-J3-15 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, Japan)

資料名:
Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)

巻: 124  号:ページ: 063901-063901-8  発行年: 2018年 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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