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文献
J-GLOBAL ID：201802270913177175
整理番号：18A1506486
(Ga,Mn)Asエピタキシャル層における面内90°磁化スイッチングのイメージング【JST・京大機械翻訳】
Imaging in-plane 90° magnetization switching in a (Ga,Mn)As epitaxial layer
Al-Qadi B.
(Department of Electrical Engineering, College of Engineering and Technology, Palestine Technical University - Kadoorie, P.O. Box: 7, Yafa Street, Tulkarm, Palestine)
,
Sakatoku Y.
(Laboratory for Future Interdisciplinary Research Science and Technology, Tokyo Institute of Technology, 4259-J3-15 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, Japan)
,
Nishizawa N.
(Laboratory for Future Interdisciplinary Research Science and Technology, Tokyo Institute of Technology, 4259-J3-15 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, Japan)
,
Munekata H.
(Laboratory for Future Interdisciplinary Research Science and Technology, Tokyo Institute of Technology, 4259-J3-15 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, Japan)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 124 号： 6 ページ： 063901-063901-8 発行年： 2018年
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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