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文献
J-GLOBAL ID：201802271096664712
整理番号：18A1806645
電界めっきしたGa_2O_3MOSFETのパルス大信号RF性能【JST・京大機械翻訳】
Pulsed Large Signal RF Performance of Field-Plated Ga2O3 MOSFETs
Singh Manikant
(Center for Device Thermography and Reliability, H. H. Wills Physics Laboratory, University of Bristol, Bristol, U.K.)
,
Casbon Michael A.
(School of Engineering, Cardiff University, Cardiff, U.K.)
,
Uren Michael J.
(Center for Device Thermography and Reliability, H. H. Wills Physics Laboratory, University of Bristol, Bristol, U.K.)
,
Pomeroy James W.
(Center for Device Thermography and Reliability, H. H. Wills Physics Laboratory, University of Bristol, Bristol, U.K.)
,
Dalcanale Stefano
(Center for Device Thermography and Reliability, H. H. Wills Physics Laboratory, University of Bristol, Bristol, U.K.)
,
Karboyan Serge
(Center for Device Thermography and Reliability, H. H. Wills Physics Laboratory, University of Bristol, Bristol, U.K.)
,
Tasker Paul J.
(School of Engineering, Cardiff University, Cardiff, U.K.)
,
Wong Man Hoi
(National Institute of Information and Communications Technology, Tokyo, Japan)
,
Sasaki Kohei
(Tamura Corporation, Saitama, Japan)
,
Kuramata Akito
(Tamura Corporation, Saitama, Japan)
,
Yamakoshi Shigenobu
(Tamura Corporation, Saitama, Japan)
,
Higashiwaki Masataka
(National Institute of Information and Communications Technology, Tokyo, Japan)
,
Kuball Martin
(Center for Device Thermography and Reliability, H. H. Wills Physics Laboratory, University of Bristol, Bristol, U.K.)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 39 号： 10 ページ： 1572-1575 発行年： 2018年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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