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文献
J-GLOBAL ID：201802271538971427
整理番号：18A1258609
28nm UTBB FD-SOI CMOS技術による新しいMOSデバイス構造の最適化その場加熱制御【JST・京大機械翻訳】
Optimized in situ heating control on a new MOS device structure in 28nm UTBB FD-SOI CMOS technology
Galy Ph.
(STMicroelectronics, 850 rue Jean Monnet, 38920 Crolles, France)
,
Lethiecq R.
(STMicroelectronics, 850 rue Jean Monnet, 38920 Crolles, France)
,
Bawedin M.
(Univ. Grenoble Alpes, IMEP-LAHC, Grenoble INP Minatec, CNRS, F-38000 Grenoble, France)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018 号： ICICDT ページ： 157-160 発行年： 2018年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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