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文献
J-GLOBAL ID：201802271546647147
整理番号：18A0159559
多様なDC-AC実験条件下でのRMG FinFETにおけるNBTIストレスと回復の超高速測定と物理的モデリング【Powered by NICT】
Ultrafast Measurements and Physical Modeling of NBTI Stress and Recovery in RMG FinFETs Under Diverse DC-AC Experimental Conditions
Parihar Narendra
(Department of Electrical Engineering, IIT Bombay, Mumbai, India)
,
Sharma Uma
(Department of Electrical Engineering, IIT Bombay, Mumbai, India)
,
Southwick Richard G.
(IBM Research Division, Albany Nanotech, Albany, NY, USA)
,
Wang Miaomiao
(IBM Research Division, Albany Nanotech, Albany, NY, USA)
,
Stathis James H.
(IBM Research Division, T. J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY, USA)
,
Mahapatra Souvik
(Department of Electrical Engineering, IIT Bombay, Mumbai, India)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65 号： 1 ページ： 23-30 発行年： 2018年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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