文献
J-GLOBAL ID:201802271717244810
整理番号:18A0446669
交差点25nm抵抗変化型不揮発性メモリ用セレクター技術のブレークスルー【Powered by NICT】
Breakthrough of selector technology for cross-point 25-nm ReRAM
著者 (17件):
Kim Soo Gil
(SK Hynix Inc., Icheon, Korea)
,
Lee Jong Chul
(SK Hynix Inc., Icheon, Korea)
,
Ha Tae Jung
(SK Hynix Inc., Icheon, Korea)
,
Lee Jong Ho
(SK Hynix Inc., Icheon, Korea)
,
Lee Jae Yeon
(SK Hynix Inc., Icheon, Korea)
,
Park Yong Taek
(SK Hynix Inc., Icheon, Korea)
,
Kim Kyung Wan
(SK Hynix Inc., Icheon, Korea)
,
Ju Won Ki
(SK Hynix Inc., Icheon, Korea)
,
Ko Young Seok
(SK Hynix Inc., Icheon, Korea)
,
Hwang Hyun Mi
(SK Hynix Inc., Icheon, Korea)
,
Lee Bo Mi
(SK Hynix Inc., Icheon, Korea)
,
Moon Joo Young
(SK Hynix Inc., Icheon, Korea)
,
Park Woo Young
(SK Hynix Inc., Icheon, Korea)
,
Gyun Byung Gu
(SK Hynix Inc., Icheon, Korea)
,
Lee Byoung-Ki
(SK Hynix Inc., Icheon, Korea)
,
Yim Donggyu
(SK Hynix Inc., Icheon, Korea)
,
Hong Sung-Joo
(SK Hynix Inc., Icheon, Korea)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
IEDM
ページ:
2.1.1-2.1.4
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)