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文献
J-GLOBAL ID：201802271781847790
整理番号：18A0854473
軌道縮退したドープMott絶縁体における荷電欠陥近傍の正孔の局在化【JST・京大機械翻訳】
Localization of holes near charged defects in orbitally degenerate, doped Mott insulators
Avella Adolfo
(Dipartimento di Fisica “E.R. Caianiello”, Universita degli Studi di Salerno, I-84084 Fisciano (SA), Italy)
,
Avella Adolfo
(CNR-SPIN, UoS di Salerno, I-84084 Fisciano (SA), Italy)
,
Avella Adolfo
(Unita CNISM di Salerno, Universita degli Studi di Salerno, I-84084 Fisciano (SA) Italy)
,
Oles Andrzej M.
(Marian Smoluchowski Institute of Physics, Jagiellonian University, Prof. S. Lojasiewicza 11, PL-30348 Krakow, Poland)
,
Oles Andrzej M.
(Max-Planck-Institut fuer Festkorperforschung, Heisenbergstrasse 1, D-70569 Stuttgart, Germany)
,
Horsch Peter
(Max-Planck-Institut fuer Festkorperforschung, Heisenbergstrasse 1, D-70569 Stuttgart, Germany)
資料名：
Physica B. Condensed Matter
(Physica B. Condensed Matter)
巻： 536 ページ： 738-741 発行年： 2018年
JST資料番号： H0676B ISSN： 0921-4526 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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