文献
J-GLOBAL ID:201802271811364468
整理番号:18A1259458
低ゲート電圧でのNMOSFETにおけるTID効果の解析的I-Vモデル【JST・京大機械翻訳】
Analytical I-V model of TID-effect in NMOSFET at low gate voltages
著者 (3件):
Wang Xiangzhan
(School of Electronic Science and Engineer, UESTC, Chengdu, China)
,
Gui Zhuanzhuan
(School of Electronic Science and Engineer, UESTC, Chengdu, China)
,
Li Jingchun
(School of Electronic Science and Engineer, UESTC, Chengdu, China)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2018
号:
IWS
ページ:
1-4
発行年:
2018年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)