文献
J-GLOBAL ID:201802271825708052
整理番号:18A1899168
TaO_xベースReRAMのデータ保持中のビットバイビットセル電流変動の観測と解析【JST・京大機械翻訳】
Observation and Analysis of Bit-by-Bit Cell Current Variation During Data-Retention of TaOx-based ReRAM
著者 (4件):
Maeda Kazuki
(Department of Electrical Electronic, and Communication Engineering, Chuo University, Tokyo, 112-8551, Japan)
,
Matsuda Shinpei
(Department of Electrical Electronic, and Communication Engineering, Chuo University, Tokyo, 112-8551, Japan)
,
Takeuchi Ken
(Department of Electrical Electronic, and Communication Engineering, Chuo University, Tokyo, 112-8551, Japan)
,
Yasuhara Ryutaro
(Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd., 1 Kotari-yakemachi, Nagaokakyo, Kyoto, 617-8520, Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2018
号:
ESSDERC
ページ:
46-49
発行年:
2018年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)