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文献
J-GLOBAL ID：201802271887506994
整理番号：18A0401371
5nm DGMOSFETのサブしきい値特性を改善するための最適トップ及び底部酸化物厚さとフラットバンド電圧【Powered by NICT】
Optimum top and bottom oxide thicknesses and flat-band voltages for improving subthreshold characteristics of 5 nm DGMOSFET
Jung Hakkee
(Department of Electronic Eng., Kunsan National University, Kunsan 54150, Republic of Korea)
,
Dimitrijev Sima
(Queensland Micro- and Nanotechnology Centre and Griffith School of Engineering, Griffith University, QLD 4111, Australia)
資料名：
Superlattices and Microstructures
(Superlattices and Microstructures)
巻： 101 ページ： 285-292 発行年： 2017年
JST資料番号： D0600B ISSN： 0749-6036 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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