文献
J-GLOBAL ID:201802272016170207
整理番号:18A1724741
トレンチ接合絶縁増幅ゲートを持つ4H-SiC二重層薄Nベース光トリガサイリスタ【JST・京大機械翻訳】
4H-SiC double-layer thin n-base light triggered thyristor with a trenched-junction isolated amplifying gate
著者 (4件):
Wang Xi
(Department of Electronic Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an 710048, Shannxi, China)
,
Pu Hongbin
(Department of Electronic Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an 710048, Shannxi, China)
,
Liu Qing
(Department of Electronic Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an 710048, Shannxi, China)
,
An Liqi
(Department of Electronic Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an 710048, Shannxi, China)
資料名:
Superlattices and Microstructures
(Superlattices and Microstructures)
巻:
122
ページ:
1-8
発行年:
2018年
JST資料番号:
D0600B
ISSN:
0749-6036
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)