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文献
J-GLOBAL ID：201802272082905834
整理番号：18A1682529
Mg及びNイオン注入によるβ-Ga_2O_3のアクセプタドーピング【JST・京大機械翻訳】
Acceptor doping of β-Ga2O3 by Mg and N ion implantations
Wong Man Hoi
(National Institute of Information and Communications Technology, 4-2-1 Nukui-Kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, Japan)
,
Lin Chia-Hung
(National Institute of Information and Communications Technology, 4-2-1 Nukui-Kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, Japan)
,
Kuramata Akito
(Tamura Corporation, 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, Japan)
,
Yamakoshi Shigenobu
(Tamura Corporation, 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, Japan)
,
Murakami Hisashi
(Department of Applied Chemistry, Tokyo University of Agriculture and Technology, 2-24-16 Naka-cho, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan)
,
Kumagai Yoshinao
(Department of Applied Chemistry, Tokyo University of Agriculture and Technology, 2-24-16 Naka-cho, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan)
,
Higashiwaki Masataka
(National Institute of Information and Communications Technology, 4-2-1 Nukui-Kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, Japan)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 113 号： 10 ページ： 102103-102103-5 発行年： 2018年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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